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　　HBM产品被认为是人工智能（AI）计算的支柱之一，近两年行业发展迅速。在人工智能和高性能计算（HPC）的影响下，推动着存储器厂商的收入增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位。此前有 报道 称，SK海力士将在2026年大规模生产HBM4，用于下一代人工智能芯片。

　　据Pulse News Korea 报道 ，最近SK海力士制定了“One Team”战略联盟，正在逐渐成型，其中包括台积电（TSMC）的参与，双方将合作开发HBM4芯片。据了解，台积电将负责部分生产流程，极有可能负责封装和测试部分，以提升产品的兼容性。

　　HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中目前最为先进的HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计，采用2048位接口，而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变化。由于2048位接口需要在集成电路上进行非常复杂的布线，可能需要台积电更为先进的封装技术来验证HBM4芯片。

　　有消息称，HBM4芯片将用于Blackwell架构GPU第二次迭代升级中。

　　虽然我们在昨天的资讯里，聊到了海力士在HBM内存领域的优势，但目前的AI芯片领域就像是逆水行舟，不就则退。海力士并没有因为优势就放慢脚步，反而是穷极一切机会去寻求进步！目前有消息称，海力士制定了“One Team”战略联盟，其中就拉拢了台积电，一同研究下一代HBM4内存，这有利于海力士继续提升市场定位。目前的海力士已经算是乘着AI浪潮最成功的厂商之一，不知道未来还将创造多大的成就！

　　美爱游戏平台光 宣布 ，已开始批量生产HBM3E，将用于英伟达H200，该GPU计划在2024年第二季度开始发货。美光表示，这一里程碑让其处于业界的最前沿，以行业领先的HBM3E性能和能效为人工智能（AI）解决方案提供支持。

　　早在去年7月爱游戏官方网站入口，美光就 宣布 推出业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3E，采用了其1β（1-beta）工艺制造，性能相比目前出货的HBM3解决方案提高了50%。据介绍，美光HBM3E产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍，为人工智能数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录，可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间，并提供了卓越的总拥有成本（TCO）。美光称，其HBM3E的功耗比竞争对手SK海力士和三星的同类产品低了30%。

　　美光还准备了12层垂直堆叠的36GB容量HBM3E，在给定的堆栈高度下，提供的容量增加了50%，随着技术的进步，美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，金属密度增加了五倍，从而降低了热阻抗，加上节能的数据路径设计，因此让能效得以提高。

　　下个月英伟达的GTC 2024上，美光将会带来36GB容量HBM3E，并分析更多的产品信息。

　　而HBM内存这么大的蛋糕，其他内存厂商自然也是觊觎的。美光这爱游戏平台边，已经在其他方向上寻求突破了。AI专业卡对显存容量提出了更高的需求，美光的探究方向就在于堆高HBM内存的单片容量。此前已经展示过的24GB的HBM3E即将步入量产，并由此，拿下了NVIDIA的订单，这算是一个很不错的消息了。另外，美光的12层垂直堆叠的36GB容量HBM3E也已经准备好了，预计会在不久后登场展示，真的是进步神速啊……

　　去年10月，三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动，展示了一系列引领超大规模人工智能（AI）时代的创新技术和产品，并 宣布 推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM，面向下一代人工智能应用，提高总拥有成本（TCO），并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。

　　今天三星 宣布 已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM，拥有12层堆叠。其提供了高达1280GB/s的带宽，加上36GB容量，均比起之前的8层堆栈产品提高了50%，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。

　　HBM3E 12H DRAM采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格，满足了当前HBM封装的要求。这项技术预计会带来更多优势，特别是在更高的堆叠上，业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的裸片翘曲。三星不断降低其NCF材料的厚度，并实现了业界最小的芯片间隙（7µm），同时还消除了层间空隙。这些努力使其与HBM3 8H DRAM相比，垂直密度提高了20%以上。

　　三星的热压非导电薄膜技术还通过芯片间使用不同尺寸的凸块改善HBM的热性能，在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域，这种方法有助于提高产品的良品率。

　　三星表示，在人工智能应用中，采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。据了解，三星已经开始向客户提高HBM3E 12H DRAM样品，预计今年下半年开始大规模量产。

　　不过在36GB容量HBM3E这个领域，似乎有另一个厂商捷足先登了。但值得一提的是，三星的HBM3E是目前唯一一家没拿到NVIDIA的订单的厂商，虽然技术够先进，但市场似乎不怎么认可。从三星、美光两家接连发布同一技术来看，HBM3E的技术推进并没有什么瓶颈，各家的进度是基本一致的，剩下的就是看市场选择了。